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    發布時間:2013-01-18 15:05 原文鏈接: 半導體所在單晶硅太陽電池研究中獲得突破

         由中科院半導體所韓培德研究員領導的光伏能源組,在國家縱向經費和自籌經費的支持下,瞄準光伏企業需求,經過多年苦戰,綜合了入射光減反技術、鈍化技術、選擇性發射極技術、背面局部重摻技術等優點,在單晶硅襯底上研發出效率高達20.0%的太陽電池(短路電流密度JSC=43.9mA/cm2,開路電壓VOC=602mV,填充因子FF=0.758),并經中國計量科學研究院認證。

      在中國特色的光伏運動推動下,單晶硅/多晶硅太陽電池將以第一代電池身份(今年年底)跨入Martin A.Green說描述的第三代電池范疇(即光電轉換效率≥20%,電力成本≤$0.5/W,制造成本≤$100/m2),單晶硅/多晶硅太陽電池在光伏能源中的主導地位將長期不變。正因如此,提高單晶硅電池效率、形成自主知識產權、引領光伏企業向前發展更具有重要的戰略意義。

      針對當前光伏低谷的產業形勢,課題組提出了“提效率、重檢測、降成本、促應用” 十二字方針,以此作為該組日常工作指南,努力走一條與企業需要相結合的研發道路。下一步將繼續提高電池效率,同時對現有技術進行中試,并在產線上加以推廣和應用。

       

       

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