微波振蕩器的分類（二）

場效應管微波振蕩源

隨著微波場效應晶體管的發展，場效應管微波振蕩源是發展進步最快的領域之一。場效應管的使用頻率不斷提高，器件內部反饋小，有利于外電路藕合反饋，射頻功率對直流的轉換效率高。普遍用它來構成性能優良的小型微波振蕩器，據近年來的報道，發展比較突出的有如下幾方面。

（1）場效應管、微帶線、介質諧振器混合集成的固態DRO：電路形式豐富多彩，有反饋 型、反射型、開關型、多頻型、偏碼輸出型、推擠輸出型等。振蕩頻率越來越高，已擴展到50GHz以上，輸出功率隨頻率的升高而變化的情況如圖4所示。

一般情況下，有一級緩沖放大器，最大功率輸出不到1瓦。當需幾瓦功率時，后面可加功率放大器或功率合成器，構成需要的微波功率源。圖中示出的帶有緩沖級的GaAs FET-DRO的振蕩頻率向高端有一定的擴展。通常，此類微波振蕩源在寬溫度范圍內，都有較高的頻率穩定性，在-5~85 ℃范圍，能達到±50~100ppm。相位噪聲性能良好，例如一個采用雙管P-P DRO的振蕩頻率在34GHz時，100kHz的偏移下，相位噪聲為-100dBc/Hz；18GHz時，相位噪聲為-130dBc/Hz。由于其性能優良而得到廣泛應用，成為目前微波集成振蕩器的主流。

（2）壓控介質微波源VC DRO：應用于窄帶調制通信系統、調頻雷達系統、鎖相環路系統的VC DRO有了很大的進步。比微帶線壓控振蕩源的性能有較大的提高，僅就頻率穩定性而言，提高了兩個數量級（達±5×10-5），與DRO的各項指標相差無幾。通常，要有窄帶電調帶寬，大約在0.1%~1.0%帶寬范圍。最常用的電調方法是變容管電調法。近年來，更為簡便適用的調柵法也發展起來，調諧頻帶寬度雖然不如變容管的寬，但其他主要性能如穩定度，相位噪聲等均比變容管的要好些，電路形式也簡單，避免了不少麻煩 。

（3）帶狀線諧振器FET VCO：上述的FET VCDRO性能指標高，多用于軍民用精密設備上，但成本、價格都比較高。在諸多因素的促使下，三極管微封裝VCO及MIC VCO也蓬勃發展起來。雖然其主要性能不如VC DRO，但其優勢在于尺寸超小（6x8mm2）電調范圍寬、CAD溫度補償電路、系列化大規模生產、 成本低價格便宜。在日本的數字無繩電話（DCT）系統，歐洲數字無線電話（DECT）系列、個人通信網絡（PCN）、衛星通信終端設備（SCTE）上均被大量采用，很快就風靡世界。由于它適應了市場的需要，浩瀚的世界民用市場為微封裝VCO的發展提供了強大的動力，使其原本不高的電性能也不斷進步，不斷完善。