等離子體分析飛行時間質譜將現身國際SIMS大會

　　分析測試百科網訊 在2015年9月14號星期一，日本堀場將在美國西雅圖舉辦的“第二十屆二次離子質譜國際會議”中作報告，報告的題目為《結合等離子體分析飛行時間質譜和飛行時間二次離子質譜在微電子中的應用》，此文由A. Tempez, J.-P. Barnes與Emmanuel Nolot, S. Legendre共同合作完成。

　　這個報告是由法國CEA-Leti和日本堀場科學部共同合作完成的。由飛行時間二次離子質譜和等離子體分析飛行時間質譜檢測到的深度分析數據將會表征在微電子和納米技術中使用到的材料，例如3D傳感器中的磁性層、高級觸點中的Pt摻雜的鎳系硅化物、PTZ等等。這些例子都能展示出等離子體分析飛行時間質譜比二次離子質譜對于基質的依賴性要小很多，因為等離子體分析飛行時間質譜的離子噴濺和離子化是分開的兩個過程。在報告中將會對兩種技術在靈敏度、深度分辨率、污染物鑒別和定量方面進行比較。

　　等離子體飛行時間質譜PP-TOFMS是HORIBA Scientific (Jobin Yvon光譜技術) 在 2012年推出的一款產品，它誕生于歐盟項目“EMDPA”。它結合了等離子體噴濺過程的速度和飛行時間質譜的靈敏度的兩個有點，能在納米深度分辨率下對厚薄不同的薄膜進行體積和深度分析。與射頻輝光放光譜儀(GD-OES)相比，它可以提供更高的靈敏度以及同位素和分子分布信息。與飛行時間二次離子質譜相比，等離子體分析飛行時間質譜能夠分析更厚的膜，因為它有更快的噴濺速率。

　　 等離子體分析飛行時間質譜（PP-TOFMS）結合了一個等離子體源和一個飛行時間質譜分析器。是專門用來分析固體材料的納米級別的導體或者是非導體層的深度分析。等離子體由無線頻率輝光放電源產生，通常是在氬氣產生氬離子和快速的中性粒子，然后將樣品噴濺出。樣品噴射出的中性粒子在等離子體中被激發和離子化。離子在正交提取TOFMS中傳送和分離。因為不同噴濺時間的離子信號，原始數據會不斷發生變化。定量的結果由深度轉換的時間和信號校正獲得，得出元素種類沿深度的分布。