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    摘 要 利用Raman 光譜對結晶紫(CrystalV iolet, CV ) 在納米磷化鎵(GaP) 粉體表面的吸附狀態進行了分析。結果表明: 與普通拉曼散射譜(Normal RamanScattering,NRS) 相比, 結晶紫表面增強拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering, SERS) 譜的4 種振動模式, 即: 中央鍵的呼吸振動、環—C+ —環面外彎曲振動、環C—H 面外彎曲振動以及N 2環伸縮振動, 在納米GaP 粉體表面得到增強; 通過分析吸附前后結晶紫拉曼散射峰相對強度的變化, 確定了結晶紫在納米GaP 粉體表面的吸附取向, 并對其表面增強散射機理進行了探討。
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