2020年7月,美國哥倫比亞大學Aaron J. Sternbach和D.N. Basov教授等研究者在Nature Communications上發表了題為:”Femtosecond exciton dynamics in WSe2 optical waveguides”的研究文章。研究者以范德瓦爾斯半導體中的WSe2材料為例,利用德國neaspec公司的納米空間分辨超快光譜和成像系統,通過飛秒激光激發研究了WSe2材料中光波導在空間和時間中的電場分布,并成功提取了飛秒光激發后光學常數的時間演化關系。同時,研究者也通過監視波導模式的相速度,探測了WSe2材料中受激非相干的A-exciton漂白和相干的光學斯塔克(Stark)位移。
原文導讀:
① 在納米空間分辨超快光譜和成像(tr-SNOM)實驗中(圖1,a),研究者首先將Probe探測光(藍色)照到原子力顯微鏡(AFM)探針尖端的頂點上,從探針尖端頂點(光束A)散射回的光被離軸拋物面鏡(OAPM)收集并發送到檢測器。同時,WSe2材料的中的波導被激發并傳播到樣品邊緣后,進而波導被散射到自由空間(光束B)。第二個Pump泵通道(紅色)可均勻地擾動樣本并改變波導的傳播。 通過在WSe2/SiO2界面處的近場tr-SNOM的振幅圖像(圖1b)可明顯觀察到約120 nm厚WSe2材料邊緣(白色虛線)處形成的特征周期條紋—光波導電場分布。研究者進一步通過定量分析數據,分別獲取了穩態和光激發態下,WSe2中波導的光波導的相速度q1,r和q1,p。
圖1:納米空間分辨超快光譜和成像系統對WSe2材料中光波導的納米成像結果。
a:實驗示意圖(藍色為Probe光,紅色為Pump光);b:近場納米光學成像 c: 在穩態下,WSe2邊緣的近場光學振幅圖像;d: 光激發態下,延遲時間 Δt=1ps的WSe2邊緣的近場光學振幅圖像;e: 分別對c、d進行截面分析,獲取定量數據。Probe探測能量,E=1.45 eV
② 研究者通過變化Probe探測能量范圍(1.46–1.70 eV)及其理論計算成功獲取了WSe2晶體穩態下的色散關系和理論數據顯示A-exciton所對應的能量。