金屬多靶磁控濺射機是一種用于電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，于2014年1月1日啟用。
1）真空系統：復合分子泵+直聯旋片無油機械泵抽真空系統；真空極限：優于5.0×10E-5Pa ；抽速：從大氣開始抽氣，濺射室25分鐘可達到10E-4Pa；系統漏率≤ 5×10-7PaL/s，系統停泵關機12小時后真空度≤5Pa；2）基片臺：可鍍4基片，4樣片內膜厚200nm的不均勻度≤±5%；樣品基臺可加熱，室溫～500℃，控溫精度±1oC；3)濺射靶及電源：直徑小于/等于3英寸，標配3個材料靶加一盲靶；各靶兼容直流濺射/中頻濺射/射頻濺射；靶之間相互不干擾/污染； 電源配置：配有2臺數字式500w直流濺射電源和1臺500w全自動匹配射頻濺射電源。