1、性質不同：互補金屬氧化物就是互補金屬氧化物半導體，是一種大規模應用于集成電路芯片制造的原料。HMOS描述了集成電路中MOS管的結構，即在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。
2、用途不同：CMOS感光器件主要應用于少數名片掃描儀和文件掃描儀。在MOS三明治結構上，金屬電極相對于P型半導體的情況下，外加正電壓，對N型半導體外加負電壓，就會形成與PN結合面相同的現象，也就是最初在氧化膜下會產生耗盡層。
3、特點不同：互補金屬氧化物主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶–電） 和 P（帶+電）級的半導。HMOS在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。