黃銅礦相銅銦鎵硒（CuInxGa1-xSe2, CIGS）多晶化合物半導體以其極高的光吸收系數、可調的禁帶寬度和低廉的制備成本作為薄膜型太陽電池的吸收層備受光伏研究工作者的青睞。但是當前研究大部分采用真空方法作為薄膜制備的主要手段，該類方法雖然可以使太陽電池獲得較高的光電轉換效率，但較高的生產成本依然是制約其大面積用于商業生產的瓶頸。本文從非真空低成本刮刀涂布刷鍍法制備工藝入手，分別采用掃描電子顯微鏡、EDS能譜儀、俄歇電子能譜儀、X射線衍射、紫外可見光分光光度儀和四點探針電阻測試儀研究了CIGS薄膜的形貌、成分、結構和光電性能。本文采用硝酸銅、硝酸銦、硝酸鎵和四氯化硒作為提供銅、銦、鎵和硒四種元素的原料，輔以乙醇、松油醇和乙基纖維素作為粘合劑，通過調節各種原料的配比來制備不同元素配比的CIGS化合物薄膜。在研究中發現，有機物的碳殘留現象非常嚴重，適當延長保溫時間可以減輕此現象。在制備得到的薄膜中，高溫長時間退火條件下，硒元素的損失非常嚴重，可以通過在墨水的配比中增大四氯化硒的比重來調節。采用刷鍍的方法制備了不同配比銅缺乏的CIGS薄膜，通過對其結構和性能的表征得到Cu/(In+Ga)=0.8時的薄膜具有最佳的性能。此結論與采用真空共蒸發法制備最高光電轉換效率的CIGS吸收層電池的銅缺乏程度相同。說明刷鍍法在替代真空法制備太陽電池上有一定的可行性。本文在刷涂法的基礎上利用多層涂布技術制備出了在薄膜深度方向上具有鎵梯度分布特性的CIGS吸收層。