“新型高密度存儲材料與器件”項目啟動
10月17日，國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項“新型高密度存儲材料與器件”項目啟動會在中國科學院微電子研究所召開。 會上，微電子所所長葉甜春和中科院院士、微電子重點實驗室主任劉明先后致辭。葉甜春對當前存儲器領域的形勢和現狀進行了總結和展望，表示要集中力量圍繞關鍵技術開展攻關，實現關鍵技術的不斷突破。項目負責人、微電子所研究員劉琦匯報了項目總體情況和實施方案。與會專家對項目的布局給予積極評價，并對項目的具體實施提出了寶貴意見。葉甜春代表微電子所向項目咨詢專家頒發了聘書。 “新型高密度存儲材料與器件”面向大數據時代對海量數據存儲和處理的需求，研究相變、阻變、鐵電等新型存儲材料和器件的設計與制備關鍵技術，發展用于高密度存儲陣列的選通器件及三維集成技術，研制兼具信息存儲、邏輯、運算、編解碼等多功能的新型原型器件以及柔性阻變存儲器原型器件，將為我國發展具有自主知識產權的新型高性能存儲材料與器件奠定技術基礎。......閱讀全文
納米結構電荷俘獲材料及存儲項目課題通過驗收
9月29日，由中國科學院微電子研究所承擔的納米研究重大科學研究計劃2010年項目“納米結構電荷俘獲材料及高密度多值存儲基礎研究”課題驗收會在北京召開。中國科學院吳德馨院士、解思深院士、李樹深院士、高鴻鈞院士、南京大學鄭有炓院士等相關專家、項目主管部門代表以及項目組成員等參加了會議。 項目首
五納米存儲元器件開發成功－數據保留時間超過十年
據物理學家組織網報道，華中科技大學、中國地質大學和美國加州大學伯克利分校科研人員組成的國際團隊，開發出小于7納米的新型存儲元器件——平均直徑為5納米的磁鐵。由于尺寸小、熱穩定性高，以及可以應用于簡單的自組裝工藝制造，這種納米磁鐵被認為是下一代存儲器件具有超高密度和低功耗的關鍵。相關論文發表在最近
五納米存儲元器件開發成功－－數據保留時間超過十年
據物理學家組織網21日報道,華中科技大學、中國地質大學和美國加州大學伯克利分校科研人員組成的國際團隊,開發出小于7納米的新型存儲元器件——平均直徑為5納米的磁鐵。由于尺寸小、熱穩定性高,以及可以應用于簡單的自組裝工藝制造,這種納米磁鐵被認為是下一代存儲器件具有超高密度和低功耗的關鍵。相關論文發表
全線性的電流誘導多態自旋軌道耦合磁性存儲器件研究
近期，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心研究員羅軍課題組與中科院半導體研究所研究員王開友課題組合作，研制出全線性的電流誘導多態自旋軌道耦合（SOT）磁性存儲器件，并實現了低能耗、可編輯的突觸功能，為基于SOT-MRAM的低功耗存算一體邏輯和神經形態計算提供了一種新方法。 存算一體及
寧波材料所在柔性磁傳感薄膜材料與器件研究獲進展
柔性智能可穿戴設備的快速發展，提出了磁電功能器件柔性化的要求。由于磁性材料的逆磁致伸縮特性，彎曲或拉伸狀態所產生的應力/應變會改變磁性薄膜的磁各向異性，從而影響磁性器件的性能。如何避免應力磁各向異性對柔性磁性器件性能產生不利的影響，是柔性磁性薄膜與器件發展中所面臨的重要挑戰之一。 近年來，中
寧波材料所二氧化釩相變調控和新型信息器件研究獲進展
存儲器是信息記錄的載體，也是現代信息技術的核心和基石之一，在數據中心、科學研究以及軍事國防等國民生產生活的各個領域發揮著重要作用。隨著大數據時代的到來，全球信息量爆炸式增長，對于新型高密度信息存儲器的需求愈加迫切。因此，在納米尺度上調控電子材料的物化特性，將為發展具有超小尺寸、超快響應速度以及超
高效有機光伏材料與器件成功制備
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/503613.shtm有機太陽能電池利用有機半導體光伏活性材料實現太陽光能向電能轉化利用，是具有重要應用潛力的新型光伏技術，包含大量的基礎科學與技術問題，也是國際競爭最為激烈的研究前沿之一。其中，給體、受體
Science發文！我國學者“存儲—計算一體化器件”研究新成果
在國家自然科學基金項目（61974050、61725505和61905266）等資助下，華中科技大學葉鐳副教授與中國科學院上海技術物理研究所胡偉達研究員等合作團隊，在存儲—計算一體化器件研究方面取得進展。研究成果以“基于二維材料的面向神經形態硬件的同質晶體管-存儲器結構（2D materials
劉明院士團隊三種新型存儲器件取得突破性進展
近日，2019國際電子器件大會（IEDM）在美國舊金山召開。會上，微電子所劉明院士科研團隊展示了新型存儲器件（選通管、可編程二極管）、負電容晶體管緊縮模型、類腦神經元器件電路的最新研究成果。 在存儲器件方面，劉明團隊提出了一種基于HZO鐵電薄膜極性反轉調制的電場可編程二極管及1T2D結構的電壓
高速低功耗新型鈧銻碲相變存儲材料研究獲重要發現
集成電路產業是“十三五”國家戰略新興產業。存儲器是集成電路最重要的技術之一，是國家核心競爭力的重要體現。我國作為全球電子產品的制造基地，存儲器的自給能力還相對較弱。國外三星、英特爾等大型半導體公司對存儲器技術與產品壟斷，對我國信息產業發展與信息安全形成重大隱患。發展國內自主知識產權的新型半導體存
PbTiO3/LaAlO3體系中首次發現常規180°鐵電疇壁與反相疇界互耦現象
鐵電疇壁隨機存儲器為解決硅基存儲技術遇到的“存儲墻”問題提供了切實可行的方案。相較于其他二維界面，例如晶界、相界等，鐵電疇壁可被特定的電場創建、移動以及擦除，意味著基于鐵電疇壁的存儲器件將更加靈活可控。然而，常規鐵電疇壁作為高能界面，會出現非預期的漂移甚至湮滅，引發對數據存儲可靠性的擔憂，且現有的鐵
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批
我國ZnO基材料與器件研究獲重要進展
日前，由中科院長春光機所任首席單位，中科院物理所、半導體所、福建物構所、上海光機所和中國科技大學共同承擔的中國科學院知識創新工程重要方向項目“ZnO基材料、器件的相關物理問題研究” 在北京通過驗收。 該項目初步解決了制約我國ZnO光電子器件發展的瓶頸問題，對提升我國在這一研究領域的國際地
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
2024上海（國際）紅外材料與器件展覽會
2024上海國際紅外技術及應用展覽會時間：2024.11.18-20日地點：上海新國際博覽中心聯系人：張主任 手 機：18538304525紅外技術作為一種高技術，它與激光技術并駕齊驅，在事 和民用域上占有舉足輕重的地位。2024紅外微光技術及其應用 展覽會與國際光電子博覽會同期舉辦，展會期間將舉
先進薄膜材料與器件聯合研究中心揭牌
7月20日，中科院合肥物質科學研究院與怡通科技有限公司共同成立“先進薄膜材料與器件聯合研究中心”的揭牌儀式在濰坊市舉行。在中科院合肥物質科學研究院和濰坊市領導的共同見證下，合肥研究院智能所智能微納器件研究室主任王振洋和怡通科技有限公司董事長孟凡杰代表雙方簽署了共建聯合研究中心的合作協議，并共同
研究獲重要發現高速低功耗新型鈧銻碲相變存儲材料
?? 集成電路產業是“十三五”國家戰略新興產業。存儲器是集成電路最重要的技術之一，是國家核心競爭力的重要體現。我國作為全球電子產品的制造基地，存儲器的自給能力還相對較弱。國外三星、英特爾等大型半導體公司對存儲器技術與產品壟斷，對我國信息產業發展與信息安全形成重大隱患。發展國內自主知識產權的新型半導體
非常規反鐵磁體獲實驗證實
日前，南方科技大學校物理系劉暢副教授、劉奇航教授與中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員喬山團隊合作，通過實驗發現一類新型磁性材料——非常規反鐵磁體。該磁體有望成為理想的下一代自旋電子學材料，用于高密度磁存儲器件等領域。相關研究成果發表于《自然》。 記者了解到，該類材料具有反鐵磁體高穩定性
寧波材料所近紅外熱活化延遲熒光材料與器件研究獲進展
近紅外有機發光二極管（NIR-OLEDs）在生物成像、防偽、傳感器、遠程醫療、顯微攝影、夜視顯示等方面頗具實際應用價值，已成為有機電致發光器件的重要發展方向之一，而熱活化延遲熒光（TADF）材料可以實現100%激子利用率，其量子效率可媲美基于貴重金屬的磷光材料，具有應用潛力。受能隙定律的影響，近
多階鐵電拓撲態研究獲重要進展
近日，松山湖材料實驗室大灣區顯微科學與技術研究中心研究員馬秀良團隊同合作者，在自組裝、高密度鐵酸鉍納米結構中觀測到多階極性徑向渦旋，并成功通過尺寸調控和外部電場實現不同拓撲態的轉換和拓撲電荷控制。該發現為下一代高密度、多態非易失性存儲器件的設計提供了全新思路。3月21日，相關成果發表于《自然-通訊》
我國學者在阻變器件電流保持特性調控研究中取得新進展
近日，中國科學院微電子研究所劉明院士團隊及其合作者（中國科學院上海微系統與信息技術研究所狄增峰課題組、武漢大學肖湘衡課題組等）在陽離子基阻變器件電流-保持特性調控上取得重要進展。圖1：石墨烯缺陷工程調控所得高驅動電流、低保持特性易失性選擇器及低操作電流、高保持特性非易失性存儲器的特征I-V曲線
元器件展會|2024上海國際陶瓷磁性材料－展覽會「上海元器件展」
展會概況展會名稱：2024中國（上海）國際電子展覽會展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際博覽中心展會規模：50,000平方米、800家展商、90,000名專業觀眾??展會介紹：? ? ? ?電子產業是電子信息產業的基礎支撐，中國電子元器
JACS：新型材料存儲甲烷能力創新紀錄
可替代能源技術是當前納米研究的一個熱點。科學家最近開發出一種類似海綿的材料，它具有迄今為止最高的存儲甲烷能力。相關論文發表在1月23日的《美國化學會志》（JACS）上。 ? 圖片說明：新型材料中的一個納米籠子。（圖片來源：Shengqian Ma, Miami University） 一類
太原新建高密度聚乙烯材料地埋式垃圾桶
11月6日，山西太原，民眾圍觀新建成的地埋式垃圾桶。該垃圾桶直徑1.9米、高2.8米，可容納垃圾近10立方米，其獨特的造型引得不少民眾上前圍觀。 據了解，這種新型地埋式垃圾桶使用高密度聚乙烯材料，具有防火耐腐蝕等特點，能有效防止垃圾對周圍環境的污染；桶深近3米，可裝載10立方米生活垃圾，是現
芯片封裝之SIP、POP、IGBT水基清洗工藝技術淺析
前言SIP系統級芯片封裝、POP堆疊芯片組裝、IGBT功率半導體模塊工藝制程中，需要用到錫膏、焊膏進行精密的焊接制程，自然在焊接后會存留下錫膏和焊膏的助焊劑殘留物，為了保證器件和組件的電器功能和可靠性技術要求，須將這些助焊劑殘留徹底清除。此類制程非常成熟，也非常有必要。水基清洗在業內得到越來越廣泛的
我國學者在相變存儲異質結研究方面取得重要進展
在國家自然科學基金優秀青年科學基金項目（批準號：61622408）、面上項目（批準號：61774123）等資助下，深圳大學材料學院饒峰教授與西安交通大學金屬材料強度國家重點實驗室張偉教授、美國約翰霍普金斯大學馬恩教授等合作，在相變存儲材料與器件研究方面取得重要進展。相關成果以“Phase-cha
上海光機所三項國家863項目通過驗收
4月6日，中科院上海光學精密機械研究所承擔的三項863項目：“藍光高密度光存儲材料與器件實用化關鍵技術”、“2μm輸出摻稀土離子的氟磷酸鹽玻璃光纖的研制”和“高功率光纖激光器及核心部件研究”通過科技部專家組的驗收。 周軍課題組承擔的“高功率光纖激光器及核心部件研究”項目，開展了高功率全光纖激光
用超材料給電子元器件做身“隔熱衣”
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/8/505856.shtm
2025深圳國際電子元器件材料設備展覽會
深圳電子元器件展，電子儀器儀表展，深圳電子儀器儀表展，電子元器件展，深圳電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，深圳電子儀器展，電儀器展覽會，深圳繼電器展，深圳電容器展，深圳連接器展，深圳集成電路展2025深圳國際電子元器件材料設備展覽會地點：深圳國際博覽中心2025年4月9-11日參
用超材料給電子元器件做身“隔熱衣”
統計資料表明，溫度每升高2℃，電子元器件可靠性下降10%。降低電子元器件工作時的溫度，對提高可靠性、精密度及使用壽命都具有重要意義。如何解決在高溫環境下，電子元器件使用效能大打折扣的難題，成為研究焦點。 日前，華中科技大學機械科學與工程學院高亮教授團隊設計了多種具有自由形狀、背景溫度獨立、全方