突破極限！復旦大學研發納秒級超快閃存技術
在人工智能技術迅猛發展的今天，對高速非易失存儲技術的需求日益增長。當前，主流非易失閃存技術的編程速度大多停留在百微秒級，難以滿足應用需求。近日，復旦大學周鵬-劉春森團隊在二維半導體結構領域取得了重大突破，實現了納秒級超快存儲閃存技術。 據悉，該研究團隊基于界面工程技術，首次在國際上實現了1Kb納秒超快閃存陣列的最大規模集成驗證，并通過《自然-電子學》雜志發布了其研究成果。該項技術不僅證明了超快特性能夠延伸至亞10納米級別，而且通過嚴格的直流存儲窗口、交流脈沖存儲性能測試，證實了二維新機制閃存在1Kb存儲規模中，納秒級非易失編程速度下良率高達98%。 復旦大學的研究團隊還研發了一種不依賴先進光刻設備的自對準工藝，結合原始創新的超快存儲疊層電場設計理論，成功實現了溝道長度為8納米的超快閃存器件，刷新了當前國際最短溝道閃存器件記錄，并突破了硅基閃存的物理尺寸極限。 該研究得到了科技部重點研發計劃、基金委重要領軍人才計劃、上海......閱讀全文
「主辦方」數據中心展/2024深圳存儲/閃存展覽會丨官宣
2024深圳國際數據中心峰會暨展覽會?Shenzhen International Data Center technology and Equipment Exhibition?參展咨詢：021-5416 3212? ?大會負責人：李經理 136 5198 39782024年4月9-11日參展咨詢
俄羅斯物理學家研制出基于石墨烯材料的閃存原型
俄羅斯科學院西伯利亞分院半導體物理研究所的科學家們利用多層石墨烯材料制造的閃存，無論在信息存儲速度還是保存時間方面都超過現有其它材料制成的閃存。 據科研人員介紹，石墨烯閃存的作用原理是在存儲介質（多層石墨烯材料）里注入和保存電荷，而隧道層和阻擋層是閃存必需的組成部分，其隧道層由氧化硅制得，
俄羅斯物理學家研制出基于石墨烯材料的閃存原型
俄羅斯科學院西伯利亞分院半導體物理研究所的科學家們利用多層石墨烯材料制造的閃存，無論在信息存儲速度還是保存時間方面都超過現有其它材料制成的閃存。 據科研人員介紹，石墨烯閃存的作用原理是在存儲介質（多層石墨烯材料）里注入和保存電荷，而隧道層和阻擋層是閃存必需的組成部分，其隧道層由氧化硅制得，阻
全閃新品亮相，曙光存儲進軍高端存儲
6月25日，曙光存儲召開了主題為“先進存力，凝聚數據要素”的新品暨品牌發布會，發布了業內首個億級IOPS集中式全閃存儲FlashNexus，同時升級分布式存儲ParaStor，并推出行業首個通存解決方案，以應對“強無止境”數據存儲性能和成本需求。曙光存儲FlashNexus系列示意圖。圖源：曙光存儲
南水北調安全保障項目獲北京市科學技術獎
北京市政府辦公廳下發通知，授予220項科研項目北京科學技術獎，包括 “超大規模集成電路先進閃存存儲器成套工藝與產品技術研發及產業化”等30項一等獎，60項二等獎和130項三等獎。 市政府辦公廳下文表示，根據《北京市科學技術獎勵辦法》的規定，經市科學技術獎勵評審委員會評審，市政府批準，授予“超
中國第一顆55納米智能卡芯片問世
中芯國際集成電路制造有限公司與北京中電華大電子設計有限責任公司（“華大電子”）共同宣布，華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片，該芯片采用中芯國際55納米低功耗（LL）嵌入式閃存（eFlash）平臺，具有尺寸小、功耗低、性能高的特點，目前已實現量產供貨，其優良性能得到客戶的廣泛認可。 中芯
臺灣研發出全球最小9納米超節能內存
據香港中通社報道，臺灣“國研院”納米（臺稱“奈米”）組件實驗室領先全球，開發出全球最小的9納米功能性電阻式內存(R-RAM)數組晶胞；這個新內存在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米面積內可儲存1個圖書館的文字數據，將讓信息電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性，這項技術預計在5到10年內
美推出基于概率運算的新型芯片
據美國物理學家組織網近日報道，美國新興公司Lyric半導體公司推出了一種新型芯片，該芯片的運算主要基于概率而非傳統的二進制邏輯。它仍由晶體管制成，但它輸入輸出的值是概率而非0或1，公司表示，這種新型芯片更適用于用來解決現代社會中各種紛繁復雜的問題。 該公司最新公布的首款基于概率技術的閃存糾錯芯
張云泉委員：夯實數據基礎設施－促進上云數據流動和安全
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/495316.shtm我國近年來在不斷推進企業數字化轉型，陸續發布了《關于推進“上云用數賦智”行動 培育新經濟發展實施方案》、《關于加快推進國有企業數字化轉型工作的通知》等政策文件，均鼓勵企業“上云用數賦智
國產新星半導體巨頭崛起，實現彎道超車
首先是長江存儲在全球擁有10，000多名員工，7000多項ZL申請。是一家以3D NAND閃存為主，涵蓋計算機、移動通信等領域的電路企業，致力于成為存儲技術的領導者。如今，作為三星、東芝這樣的高科技企業，長江存儲曾經有著令人欽佩的R&D歷史。長江存儲的前身武漢新鑫，因經濟衰退而舉步維艱。危急之時
IBM研發出最新多位相變存儲器
據美國物理學家組織網近日報道，IBM的科學家演示了最新的多位相變存儲器，其每個存儲格都能長時間可靠地存儲多個字節的數據。最新技術讓人們朝成本更低、速度更快、更耐用的存儲技術前進了一大步，可廣泛應用于包括手機在內的消費電子設備、云存儲以及對性能要求更高的企業數據存儲中。 相變存
我國成功研制80納米“萬能存儲器”核心器件
想必大家都曾經遭遇過電腦突然斷電，因數據未及時保存后悔不已；或是因為手機待機時間太短而莫名焦慮……這些尷尬有望避免。記者日前獲悉，北京航空航天大學電子信息工程學院教授趙巍勝與中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心研究員趙超聯合團隊經過三年攻關，成功制備國內首個80納米自旋轉移矩-磁隨機存儲器器件
新研究厘清憶阻器工作時的內部變化
據美國計算機世界網站5月16日報道，惠普公司的科學家在憶阻器的研發上取得新突破，他們弄清楚了憶阻器在電操作期間，其內部的化學性質和結構變化，借此可以改進現有憶阻器的性能。相關研究發表在16日出版的《納米技術》雜志上。 憶阻器是一種有天然記憶功能的非線性電阻，通過控制電流的變
希伯來大學研發太赫茲微芯片，速度將提升100倍
經過三年的研究，耶路撒冷希伯來大學(HU)物理學家烏利埃爾·利維博士和他的團隊發明了一種全新的芯片技術。這種太赫茲微芯片可以使我們的計算機和所有的光學通信設備能夠以更快的速度來運行。到目前為止，兩大挑戰阻礙了太赫茲微芯片的制造，即過熱和可擴展性。然而,本周在“激光與光電子評論”上發表的一篇論文中，N
希伯來大學研發太赫茲微芯片，速度提升100倍
? ? ? ? ? ? ?? 導讀： 經過三年的研究，耶路撒冷希伯來大學(HU)物理學家烏利埃爾·利維博士和他的團隊發明了一種全新的芯片技術。這種被稱為太赫茲微芯片可以使我們的計算機和所有的光學通信設備能夠以更快的速度來運行。? ? ? ? ? ?? ? ? 經過三年的研究，耶路撒冷希伯來大學(H
陜西省計量院為三星電子項目全面開展計量校準服務
陜西省計量科學研究院（以下簡稱陜西省計量院）以技術實力贏得國際合作，為在國內最大的外商投資項目——三星（中國）半導體有限公司高端存儲芯片項目（以下簡稱三星電子項目）及多家配套公司進行計量校準服務，目前首批溫濕度記錄儀等50臺儀器已在陜西省計量院檢定完畢。 三星（中國）半導體有限公司高端存儲芯
小身材、大功率手掌大小的高亮度發光LED頻閃燈－袖珍閃...
小身材、大功率-手掌大小的高亮度發光LED頻閃燈 袖珍閃頻儀 P-1袖珍閃頻儀 P-1袖珍閃頻儀P-1是一種手持LED頻閃儀.非常輕巧，可以攜帶在您的口袋，是個十分理想的工具，可用于商務旅行和簡單的檢查現場。在充分利用LED的優點的同時，獲得了足夠短的閃光燈持續時間和較大的光強。最大閃爍頻率為360
淺析SRAM和DRAM的真正區別（三）
AI 、5G渴望新內存材料的支持對于所有類型的系統設計者來說，新興存儲技術都變得極為關鍵。AI和物聯網IoT芯片開始將它們用作嵌入式存儲器。大型系統已經在改變其架構，以采用新興的存儲器來替代當今的標準存儲器技術。這種過渡將挑戰行業，但將帶來巨大的競爭優勢。今天，業界仍在尋找通用存儲器，隨著S
助力開發超快人工神經網絡存算一體系統
中國科學技術大學李曉光團隊基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果近日在線發表于《自然—通訊》。 在大數據時代，海量數據的低能耗、快速存儲處理是突破和完善未來人工智能、物聯網等技術發展的關鍵之一。為此，迫切需求一種既能匹
碳納米管有望實現存儲器微型化
耗電量極低 能以高速記錄信息 英國科學家發現，將兩根碳納米管套在一起將能夠最終產生使用二進制編碼保存信息所需的“1”或“0”狀態。 自從1958年發明集成電路以來，計算機產業的發展趨勢就是使硬件體積越變越小。如今，英國科學家正在嘗試用性能獨特的碳納米管來生產低成本、小體積的存儲器
使用同時讀寫（RWW）功能防止系統瓶頸
將智能化移至邊緣設備(終端)可以使系統具有更好的實時性能、更好的功率效率和增強的安全性。但是,更多的智能要求更多的代碼、更多的數據,并且在系統固件更新期間,執行命令也不能有所延遲。無論是執行高速數據傳輸還是直接在內存執行代碼,邊緣設備的關鍵系統設計要求是選擇合適的非易失性存儲器。這在執行寫操
便攜式土壤水分速測儀和特點描述
便攜式土壤水分速測儀利用可靠的時域反射技術，能夠對土壤水分變化全量程的進行精確測量。改進的人體工程學設計提供了快速簡便的測量方式。一鍵獲取土壤水分讀數，多種探針長度可以讓您更好的測量目標區域數據。 特點： 顯示VWC％（具有運行平均值） 在TDR 300模式下運行 測量時間短，速度快
科學家開發出三維垂直場效應晶體管
科技日報北京6月14日電 （記者張夢然）通過鐵電柵極絕緣體和原子層沉積氧化物半導體通道，日本科學家制造了三維垂直場效應晶體管，可用來生產高密度數據存儲器件。此外，通過使用反鐵電體代替鐵電體，他們發現擦除數據只需要很小的凈電荷，從而提高了寫入的效率。發表在2022年IEEE硅納米電子研討會上的該
美研制新型非易失性鐵電存儲設備
據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備——鐵電晶體管隨機存取存儲器（FeTRAM），其將比現在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發表在美國化學學會的《納米快報》雜志上。 這種最新的存儲設備將由硅納米線和鐵電聚合物集合而成。鐵
美科學家開發出寬度5納米憶阻器
上世紀60年代，英特爾公司創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統硅芯片技術上所能取得的進步受到物理法則和資金的限制也越來越嚴重，有人以為看到了集成電
《納米快報》：美科學家開發出寬度5納米憶阻器
上世紀60年代，英特爾公司創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統硅芯片技術上所能取得的進步受到物理法則和資金的限制也越來越嚴重，有人以為看到了集成電路技
Nand－Flash的特性及其燒錄關鍵點詳解（一）
為什么燒錄Nand Flash經常失敗？為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統卻運行不起來？…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎？ 一、Nand flash的特性 1、位翻轉 在 NAND 閃存是通過對
高價值ZL：競爭力的源頭活水
高水平創新是企業發展的靈魂和生命力。京信通信系統控股有限公司的“一種超寬帶雙頻合路器”不僅打破國外技術壟斷、為國家節省了近千億元的采購資金，而且已實現銷售額近17億元，用ZL創造了企業發展的奇跡。 放眼當今世界，知識產權對于企業發展的戰略意義不言而喻。而高價值ZL在支撐企業創新發展方面發揮了
圖技GL240數據溫度記錄儀特點
日本圖技GRAPHTEC GL220數據溫度記錄儀：10個隔離通道通道間是隔離的，這樣如果是由于接線錯誤或過載造成的通道損壞就不會對周圍其他通道造成任何影響。圖技GL220溫度記錄儀GRAPHTEC GL220數據采集儀搭載小型10ch 2GB存儲器的真正數據記錄器圖技GL220溫度記錄儀GRAPH
2008年個人技術十大趨勢
每過一年，從手機、小設備到媒體播放器的個人技術都會變得性能更好、尺寸更小、價格更低。?基于閃存的超便攜電腦?目前，誰是筆記本電腦和手機市場的領頭羊一目了然。但手機和筆記本電腦之間的地盤仍有待爭奪。雖然去年出現了數百款產品，從超移動電腦、超便攜電腦到平板電腦，但都沒有吸引主流顧客的注意力。?這一切將在