二維半導體材料家族又有“小鮮肉”
據美國猶他大學官網消息，該校工程師最新發現一種新型二維半導體材料一氧化錫（SnO），這種單層材料的厚度僅為一個原子大小，可用于制備電子設備內不可或缺的晶體管。研究人員表示，最新研究有助于科學家們研制出運行速度更快且能耗更低的計算機和包括智能手機在內的移動設備。 一氧化錫這個“小鮮肉”由猶他大學材料科學和工程學副教授艾舒托什·蒂瓦里領導的研究團隊發現，它由錫和氧元素組成。目前，電子設備內的晶體管和其他元件由硅等三維材料制成，一個玻璃基層上包含有多層三維材料。但三維材料的缺陷在于，電子會在層內的各個方向四處彈跳。蒂瓦里解釋道，而二維材料的優勢在于，其由厚度僅為一兩個原子的一個夾層組成，電子只能在夾層中移動，所以移動速度更快。 二維半導體材料5年前開始成為研究熱點，盡管研究人員已發現了石墨烯、二硫化鉬以及硼墨烯等多種二維材料，但這些材料只允許帶負電荷的電子（N型）運動，而制造電子設備同時需要電子和帶正電荷的“空穴”（P型）運動......閱讀全文
美國發現新型二維半導體材料
近日，美國猶他大學發現一種新型二維半導體材料一氧化錫。據了解，該材料可用于制備計算機處理器和圖形處理器等電子設備內的晶體管，有助于研制出運行速度更快、更加節約能源的智能手機和計算機等電子設備。 當前，電子設備內晶體管的玻璃基板由許多層三維材料構成，如硅材料。其弊端在于當電子通過時，會在所有層內
二維半導體材料家族又有“小鮮肉”
據美國猶他大學官網消息，該校工程師最新發現一種新型二維半導體材料一氧化錫（SnO），這種單層材料的厚度僅為一個原子大小，可用于制備電子設備內不可或缺的晶體管。研究人員表示，最新研究有助于科學家們研制出運行速度更快且能耗更低的計算機和包括智能手機在內的移動設備。 一氧化錫這個“小鮮肉”由猶他大學
二維錫烯拓撲材料研究取得進展
近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家研究中心教授王兵和副教授趙愛迪研究團隊與清華大學助理教授徐勇、教授段文暉以及美國斯坦福大學教授張首晟合作，成功制備出具有純平蜂窩結構的單層錫烯，并結合第一性原理計算證實了其存在拓撲能帶反轉及拓撲邊界態。相關研究成果11月5日在線發表在《自然-材料》（N
二維錫烯拓撲材料研究取得進展
近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家研究中心教授王兵和副教授趙愛迪研究團隊與清華大學助理教授徐勇、教授段文暉以及美國斯坦福大學教授張首晟合作，成功制備出具有純平蜂窩結構的單層錫烯，并結合第一性原理計算證實了其存在拓撲能帶反轉及拓撲邊界態。相關研究成果11月5日在線發表在《自然-材料》（Nat
碘化銫錫半導體熱電性能獨特
美國研究人員發現，一種名為碘化銫錫（CsSnI3）的晶體半導體材料具有獨特的熱電性能，能在保持高電導率的同時，隔絕大部分熱量傳遞。他們在日前出版的美國《國家科學院學報》上發表文章指出，這種材料的熱電性質獨特，應用前景十分廣闊。 碘化銫錫是一種半導體材料，幾十年前就被發現，但直到最近幾年才受到一
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
新方法助力二維半導體材料開發
中國科學院院士、北京科技大學教授張躍及北京科技大學教授張錚團隊等提出了一種名為“二維Czochralski（2DCZ）”的方法，該方法能夠在常壓下快速生長出厘米級尺寸、無晶界的單晶二硫化鉬晶疇，這些二硫化鉬單晶展現出卓越的均勻性和高質量，具有極低的缺陷密度。1月10日，相關研究成果發表在《自然—材料
大連化物所制備出二維鍺錫混合鈣鈦礦新材料
本報訊（記者劉萬生 通訊員程鵬飛）近日，中科院大連化物所韓克利研究員團隊在二維非鉛鈣鈦礦動力學機理研究方面取得新進展，相關工作發表在《物理化學快報》雜志上。
半導體所發現一種新的二維半導體材料——ReS2
最近，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室由中美聯合培養的博士后Sefaattin Tongay等人在吳軍橋教授、李京波研究員、李樹深院士的團隊中，在二維ReS2 材料基礎研究中取得新進展，發現ReS2 是一種新的二維半導體材料。相關成果發表在2014年2月6日的《自然-通訊》上，
國科大等：二維半導體新成果登上Nature
經過數十年發展，半導體工藝制程已逐漸逼近亞納米物理極限，傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路以實現三維集成技術的突破，已成為國際半導體領域積極探尋的新方向。由于硅基晶體管的現代工藝采用單晶硅表面離子注入的方式，難以實現在一層離子注入的
美證實二維半導體存在普適吸光規律
以往的研究表明，二維碳薄片石墨烯擁有一個通用的光吸收系數。而據物理學家組織網近日報道，現在，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室的科學家首次證實，所有的二維半導體也同樣普遍適用于一個類似的簡單吸光規律。他們利用超薄半導體砷化銦薄膜進行的實驗發現，所有的二維半導體，包括受太陽能薄膜和光電器件行業青睞的
國科大等：二維半導體新成果登上Nature
創新方法打破硅基邏輯電路的底層“封印”經過數十年發展，半導體工藝制程已逐漸逼近亞納米物理極限，傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路以實現三維集成技術的突破，已成為國際半導體領域積極探尋的新方向。由于硅基晶體管的現代工藝采用單晶硅表面離
熱掃描探針光刻技術消除二維半導體材料
?? 二維半導體材料，比如二硫化鉬（MoS2），表現出了諸多新奇的特性，從而使其具有應用于新型電子器件領域的潛力。目前，研究人員常用電子束光刻的方法，在此類僅若干原子層厚的材料表面定域制備圖形化電極，從而研究其電學特性。然而，采用此類方法常遇到的問題之一是二維半導體材料與金屬電極之間為非歐姆接觸，且
科學家攻克二維半導體歐姆接觸難題
1月11日，南京大學教授王欣然、施毅帶領國際合作團隊在《自然》上以《二維半導體接觸接近量子極限》為題發表研究成果。該科研團隊通過增強半金屬與二維半導體界面的軌道雜化，將單層二維半導體MoS2的接觸電阻降低至42Ω·μm，超越了以化學鍵結合的硅基晶體管接觸電阻，并接近理論量子極限，該成果解決了二維半導
中國科學家國際首次制備出錫烯二維晶體薄膜材料
二維類石墨烯晶體錫烯具有極其優越的物理特性，是一類大能隙二維拓撲絕緣體，有可能在室溫下實現無損耗的電子輸運，因此在未來更高集成度的電子學器件應用方面具有極其重要的潛在價值。但是由于巨大的材料制備和物理認知上的困難，如何在實驗上制備出錫烯材料，成為當前國際凝聚態物理和材料學領域科研人員努力的焦點。
福建物構所硼酸錫酸鹽半導體白光發射研究獲進展
白光發光二極管（WLED）一直是新一代照明光源的熱門話題，因為它們有壽命長、能耗低、效率高、體積小等這些突出的優點。多色和/或多組分WLED有著各種不可避免的缺點，例如由于自吸收而導致的效率降低，和由于不同熒光粉的不同降解速率導致的發光顏色不穩定。相比之下，單組分熒光粉WLED不僅可以消除以上缺
半導體所在二維GaS超薄半導體的基礎研究中取得新進展
最近，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室博士后楊圣雪、博士生李燕，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的團隊中，在二維GaS超薄半導體的基礎研究中取得新進展。相關成果發表在2014年2月7日英國皇家化學會主辦的《納米尺度》(Nanoscale)上，并被選為“熱點論文”(Hot
新型金屬硫化物二維半導體材料性質探明
近日，中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室博士后楊圣雪、博士生李燕，在研究員李京波、中科院院士李樹深和夏建白等人的指導下，取得二維GaS超薄半導體的基礎研究中新進展，探明了新型超薄金屬硫化物二維半導體材料性質。2月7日，相關成果發表在英國皇家化學會主辦的《納米尺度》上，并被選為熱點論文。
二維半導體三維集成研究取得新成果
經過數十年發展，半導體工藝制程不斷逼近亞納米物理極限，但傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路，從而獲得三維集成技術的突破，是國際半導體領域積極探尋的新路徑之一。由于硅基晶體管制備工藝采用單晶硅表面離子注入的方式，較難實現在一層離子注入
中國科大二維磁性半導體材料研究獲進展
中國科學技術大學國家同步輻射實驗室副研究員閆文盛、孫治湖和劉慶華組成的研究小組在教授韋世強的帶領下，利用同步輻射軟X射線吸收譜學技術，在研究二維超薄MoS2半導體磁性材料的結構、形貌和性能調控中取得重要進展。該研究成果發表在《美國化學會志》上。 二維超薄半導體納米片具有宏觀上的超薄性、透明性
具有千個晶體管的二維半導體問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512252.shtm
全球最大規模二維半導體微處理器發布
“雕塑同樣的物品，用豆腐雕刻比用玉石雕刻更難，因為材料的脆弱大大提升了雕刻難度。”復旦大學研究員包文中向記者形象地描述了使用二維半導體與傳統硅基半導體制造微處理器的難度區別。記者2日從該校獲悉，全球首款基于二維半導體材料的32位RISC-V架構微處理器“無極”登上《自然》雜志。“無極”由復旦大學周鵬
我國新型二維鍺錫混合鈣鈦礦材料可提高光伏材料性能
近日，大連化物所復雜分子體系反應動力學研究組（1101組）韓克利研究員團隊在二維非鉛鈣鈦礦動力學機理研究方面取得新進展，相關工作發表在《物理化學快報雜志》（The Journal of Physical Chemistry Letters）上。 二維有機-無機鈣鈦礦材料具有較高的穩定性和獨特的
半導體式氣體檢測儀概述
半導體式氣體檢測儀是利用一些金屬氧化物半導體材料，在一定溫度下，電導率隨著環境氣體成份的變化而變化的原理制造的。比如，酒精傳感器，就是利用二氧化錫在高溫下遇到酒精氣體時，電阻會急劇減小的原理制備的。 半導體式氣體檢測儀可以有效地用于：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、酒精、甲醛、一氧化碳、二氧化碳、乙烯
半導體式氣體傳感器
它是利用一些金屬氧化物半導體材料，在一定溫度下，電導率隨著環境氣體成份的變化而變化的原理制造的。比如，酒精傳感器，就是利用二氧化錫在高溫下遇到酒精氣體時，電阻會急劇減小的原理制備的。 半導體式氣體傳感器可以有效地用于：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、酒精、甲醛、一氧化碳、二氧化碳、乙烯、乙炔、氯乙烯、
我國學者在二維半導體晶圓制造方面取得進展
圖 利用“固-液-固”生長策略制備晶圓級InSe高質量晶膜 在國家自然科學基金項目（批準號：52025023、52322205、52250398）等資助下，北京大學劉開輝教授與合作者在二維硒化銦半導體晶圓制造方面取得進展。相關成果以“用于集成電子學的二維硒化銦晶圓（Two-dimensional
新型碳基二維半導體材料基本物性研究獲進展
以石墨烯為代表的碳基二維材料自發現以來受到了廣泛關注。然而，石墨烯的零帶隙半導體性質嚴重限制了其在微電子器件領域的應用。針對該情況，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究人員等自2013年開展新型碳基二維半導體材料的制備研究，2014年1月成功制備了由碳和氮原子構成的類石墨烯蜂窩狀無孔有序結構
上海技物所在二維半導體光電探測研究中取得進展
中國科學院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室胡偉達、王建祿等研究人員在利用鐵電聚合物極化對二維半導體帶隙調控及其高性能光電探測方面取得新進展。相關成果發表在Advanced Materials（Advanced Materials 27, 6575–6581 (2015)，DOI: 10.
新型碳基二維半導體材料基本物性研究獲進展
以石墨烯為代表的碳基二維材料自發現以來受到了廣泛關注。然而，石墨烯的零帶隙半導體性質嚴重限制了其在微電子器件領域的應用。針對該情況，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究人員等自2013年開展新型碳基二維半導體材料的制備研究，2014年1月成功制備了由碳和氮原子構成的類石墨烯蜂窩狀無孔有序結構
石墨烯“表親”錫烯新鮮出爐－這種材料或能100％導電
二維晶體材料家族迎來“小鮮肉” 石墨烯“表親”錫烯新鮮出爐 近日，中美科學家攜手成功研制出由單層錫原子構成的厚度小于0.4納米的二維晶體——錫烯（Stanene）薄膜。理論預測稱，這種材料或能100%導電。研究人員希望下一步能盡快證實其優異的電學屬性。 科學家們迄今研制出了多種二維材料，包括硅