飛行時間質譜與四級桿質譜的比較
ToF-MS與四級桿質譜的比較 四級桿質譜(Quadru Pole Mass Analyzer Mass Spectrometer, QMA-MS)在采樣過程中，每次只允許一個特定的m/z通過，因此如果要獲得完整的質譜圖，需要對不同的m/z進行連續掃描。在大氣化學領域生產四級桿質譜的主要生產商為Aerodyne的ACSM產品和THS。[3]而ToF-MS在每次進樣時，可以全譜采集樣本中所有的m/z，提高了數據采集效率，并允許回溯分析。 四級桿質譜進行24小時檢測所獲得的數據量通常為2MB左右，而ToF-MS在一天所采集的數據可以達到10GB。......閱讀全文
飛行時間質譜與四級桿質譜的比較
ToF-MS與四級桿質譜的比較 四級桿質譜(Quadru Pole Mass Analyzer Mass Spectrometer, QMA-MS)在采樣過程中，每次只允許一個特定的m/z通過，因此如果要獲得完整的質譜圖，需要對不同的m/z進行連續掃描。在大氣化學領域生產四級桿質譜的主要生產商
離子阱與四級桿質譜的區別
離子阱重定性，可得到多級碎片，從而推導結構，常用于未知化合物結構推導，全掃描靈敏度很高，可超過TOF.四級桿或三重四級桿重定量，全掃描靈敏度低大約10到100個數量級，但是在選擇離子掃描模式下靈敏度很高從而用于已知化合物定量，常用于農殘、獸殘、血藥濃度測定。
離子阱與四級桿質譜的區別
離子阱與四級桿是不同的質量分析器。離子阱重定性，可得到多級碎片，從而推導結構，常用于未知化合物結構推導，全掃描靈敏度很高，可超過TOF.四級桿或三重四級桿重定量，全掃描靈敏度低大約10到100個數量級，但是在選擇離子掃描模式下靈敏度很高從而用于已知化合物定量，常用于農殘、獸殘、血藥濃度測定。
飛行時間質譜與普通質譜有什么區別
所謂飛行時間質譜是指其質量分析是根據離子在通道飛行時間來識別的。一價離子在經過提取電壓后獲得相同的動能，由于不同離子的質量不同，導致飛行速度不同，從而在相同的通道內的飛行時間不同。還有四級桿質譜：通過改變交變電壓來選取不同離子。扇形磁場質譜：通過帶點離子在磁場內的軌跡不同來識別離子。
飛行時間質譜tofms－與質譜ms有什么不同
原理 待測化合物分子吸收能量（在離子源的電離室中）后產生電離，生成分子離子，分子離子由于具有較高的能量，會進一步按化合物自身特有的碎裂規律分裂，生成一系列確定組成的碎片離子，將所有不同質量的離子和各離子的多少按質荷比記錄下來，就得到一張質譜圖。由于在相同實驗條件下每種化合物都有其確定的質譜圖，因此將
飛行時間質譜tofms－與質譜ms有什么不同
原理 待測化合物分子吸收能量（在離子源的電離室中）后產生電離，生成分子離子，分子離子由于具有較高的能量，會進一步按化合物自身特有的碎裂規律分裂，生成一系列確定組成的碎片離子，將所有不同質量的離子和各離子的多少按質荷比記錄下來，就得到一張質譜圖。由于在相同實驗條件下每種化合物都有其確定的質譜圖，因此將
飛行時間質譜與普通質譜有什么區別
所謂飛行時間質譜是指其質量分析是根據離子在通道飛行時間來識別的。一價離子在經過提取電壓后獲得相同的動能，由于不同離子的質量不同，導致飛行速度不同，從而在相同的通道內的飛行時間不同。還有四級桿質譜：通過改變交變電壓來選取不同離子。扇形磁場質譜：通過帶點離子在磁場內的軌跡不同來識別離子。
簡介飛行時間質譜的化學電離質譜
化學電離質譜(Chemical Ionization Mass Spectrometer, CIMS)是大氣領域中一種常見的軟電離(Soft Ionization)手段。使用化學電離的好處是不會產生離子碎片，并可在線進樣實時分析。目前大氣化學領域采用的試劑(reagent)，硝酸、乙醇、水最為常
質譜那些事——飛行時間質譜的誕生（一）
飛行時間質譜萌芽于曼哈頓計劃。在1942-1945年期間，一些科學家意圖設計這樣的系統：一個恒定的加速電壓U，一段真空管提供固定的飛行距離L，利用離子到達探測器時間t的不同來進行質荷比m/z的區分。原理很簡單，幾個基本公式即可理解：鑒于保密的原因，這個想法并沒有在科學雜志和ZL文件上廣泛傳播，直到二
質譜那些事——飛行時間質譜的誕生（二）
然而當時的技術條件，分辨率并不是優勢！這是Bendix利用TOF測定氙氣的同位素質譜圖， 從左到右分別是128，129，130，131，132，134和136，按照現代飛行時間分辨率的計算方式，這個分辨率只有 大約 130/0.25=520。簡單的原理背后往往隱藏著工程難題！如下圖，在紅色框源區和藍
三重四級桿質譜原理
在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到足夠的電
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。 當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000?V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
四級桿質譜和離子阱質譜小型化后的區別
兩種質譜對真空的不同需求，會帶來使用成本的差異。不同類型的質譜有其不同的適宜工作的真空度，使得使用成本上有近百倍的區別。一般而言，四極桿質譜一般需要10^(-6)的高真空，若真空度沒有達到該值，會使得設備無法做到單位質量分辨。而離子阱質譜僅需要10^(-3)的真空[2]，在該條件下其分辨率就可以
飛行時間質譜技術
質譜分析本是一種物理方法，其基本原理是使試樣中各組分在離子源中發生電離，生成不同荷質比的帶正電荷的離子，經加速電場的作用，形成離子束，進入質量分析器。在質量分析器中，再利用電場和磁場使發生相反的速度色散，將它們分別聚焦而得到質譜圖，從而確定其質量。第一臺質譜儀是英國科學家阿斯頓質譜儀開始主要是作為一
飛行時間質譜簡介
飛行時間質譜，Time of Flight Mass Spectrometer (TOF)，是一種很常用的質譜儀。這種質譜儀的質量分析器是一個離子漂移管（ion drift tube）。由離子源產生的離子首先被收集。在收集器中所有離子速度變為0。使用一個脈沖電場加速后進入無場漂移管，并以恒定速度
飛行時間質譜－(TOF)
分析物的質荷比是根據分析物在真空飛行管中的飛行時間推算出的。飛行時間質譜的質量分析器由調制區、加速區、無場飛行空間和檢測器等部分組成。樣品分子電離以后，將離子加速并通過一個無場區，不同質量的離子具有不同的能量，通過無場區的飛行時間長短不同，可以依次被收集檢測出來。四極桿 (Quadrupole，Q)
飛行時間質譜－(TOF)
分析物的質荷比是根據分析物在真空飛行管中的飛行時間推算出的。飛行時間質譜的質量分析器由調制區、加速區、無場飛行空間和檢測器等部分組成。樣品分子電離以后，將離子加速并通過一個無場區，不同質量的離子具有不同的能量，通過無場區的飛行時間長短不同，可以依次被收集檢測出來。四極桿 (Quadrupole，Q)
飛行時間質譜技術與絲狀真菌
侵襲性真菌感染是重癥監護和器官移植患者死亡的高風險因素，其早期診治對提高救治率至關重要。其中，絲狀真菌是侵襲性真菌感染的主要病原菌之一，但絲狀真菌生長緩慢（一般需要5～7d）限制了早期診斷，絲狀真菌的早期鑒定與耐藥性增強已成為臨床救治的重大難題。目前，絲狀真菌常用的鑒定方法為鏡檢和菌落形態聯合鑒
飛行時間質譜的概述
飛行時間質譜，Time of Flight Mass Spectrometer (TOF)，是一種很常用的質譜儀。這種質譜儀的質量分析器是一個離子漂移管（ion drift tube）。由離子源產生的離子首先被收集。在收集器中所有離子速度變為0。使用一個脈沖電場加速后進入無場漂移管，并以恒定速度飛向