BENEQ原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：BENEQ 原子層沉積系統儀器編號：09016504產地：芬蘭生產廠家：BENEQ型號：TFS200-106出廠日期：200810購置日期：200910所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹秉軍（010-62784044,13910803625,caobj@mail.tsinghua.edu.cn）竇維治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）分類標簽：微納加工 原子層淀積技術指標：原子層淀積，功率4kW，載氣：N2；生長精度：0.1nm，反應溫度：25~500C，樣品尺寸：20-200mm，生長方式：熱沉積/等離子體生長；熱源2個，溫度25~300C；冷源3個。知名用戶：北京大學電子系物理電子學研究所，香港中文大學，清華大學化學系，清華大學物理系納米中心，清華大學......閱讀全文
BENEQ－原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：BENEQ 原子層沉積系統儀器編號：09016504產地：芬蘭生產廠家：BENEQ型號：TFS200-106出廠日期：200810購置日期：200910所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹秉軍（010
原子層沉積系統（ALD）的應用
原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度、成份和結構） 原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱為原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
微電子所采用ALD技術顯著提升發光器件效率
日前，中國科學院微電子研究所將先進的原子層沉積技術應用于高光效半導體發光器件的研究取得顯著進展。 上世紀80年代，原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬蘭科學家提出并應用于平板顯示器件中Al2O3絕緣膜的沉積。2007年英特爾公司將原子層沉積技術引
北京大學一天宣布兩大芯片成果
《Cell》（細胞）、《Nature》（自然）和《Science》（科學）三本雜志號稱三個世界頂級學術刊物，簡稱為CNS，是科研工作者的最愛，我國每年公布的世界十大科技新聞大多來源于CNS。 其中，《Nature》雜志創刊于1869年，由Springer Nature出版社出版。150多年以來