物理所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底
碳化硅（SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于SiC和氮化鎵（GaN）的晶格失配小，SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底材料。為降低器件成本，下游產業對SiC單晶襯底提出了大尺寸的要求，目前國際市場上已有6英寸（150毫米）產品，預計市場份額將逐年增大。 中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室陳小龍研究組（A02組，功能晶體研究與應用中心）長期從事SiC單晶生長研究工作，團隊人員通過自主創新和探索，獲得了SiC單晶生長設備、晶體生長和加工技術等一整套自主知識產權。研發成功的2英寸SiC單晶襯底在國內率先實現了產業化，并相繼研發成功3英寸、4英寸SiC單晶襯底，實現了批量制備和銷售。2014年11月，團隊人員與北京天......閱讀全文
6英寸碳化硅單晶襯底研制成功
近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。 據悉，碳化硅屬于第三代半導體材料，是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。 上圖 科研人員在
物理所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底
碳化硅（SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于SiC和氮化鎵（GaN）的晶格失配小，SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底材
科學家成功研制1.5英寸石墨烯單晶
今天，記者從中科院上海微系統與信息技術研究所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領導的石墨烯研究團隊在國家重大專項“晶圓級石墨烯材料和器件基礎研究”等項目的支持下，在國際上首次實現石墨烯單核控制形核和快速生長，成功研制1.5英寸石墨烯單晶，相關研究成果在線發表于《自然—材料》。 銅
科學家成功研制1.5英寸石墨烯單晶
今天，記者從中科院上海微系統與信息技術研究所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領導的石墨烯研究團隊在國家重大專項“晶圓級石墨烯材料和器件基礎研究”等項目的支持下，在國際上首次實現石墨烯單核控制形核和快速生長，成功研制1.5英寸石墨烯單晶，相關研究成果在線發表于《自然—材料》。 銅
科學家成功研制1.5英寸石墨烯單晶
從中科院上海微系統與信息技術研究所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領導的石墨烯研究團隊在國家重大專項“晶圓級石墨烯材料和器件基礎研究”等項目的支持下，在國際上首次實現石墨烯單核控制形核和快速生長，成功研制1.5英寸石墨烯單晶，相關研究成果在線發表于《自然—材料》。 銅表面催化生
中科院上海硅酸鹽所研發出4英寸碳化硅單晶
記者今天從中國科學院上海硅酸鹽研究所獲悉，該所科技人員立足自主研發，在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長技術之后，2月4日，成功生長出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶，這標志著我國碳化硅單晶生長技術達到了國際一流水平。 據介紹，碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，飽和漂
我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅襯底產品面世
我新一代雷達核心部件材料實現國產化 科技日報濟南7月6日電 （通訊員辛鵬波 記者王延斌）近日，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅（SiC）襯底產品面世。中國電子材料行業協會組織的專家認為，該成果國內領先，已達到國際先進水平。 碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達
珠海：重點發展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半導體襯底材料及外延片
珠海市工業和信息化局公開征求 《珠海市電子化學品產業發展三年行動方案（2025—2027年）（征求意見稿）》 意見。其中提到，重點發展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化鎵、磷化銦等新一代化合物半導體襯底材料及外延片；前瞻布局氧化鎵、銻化鎵、銻化銦等第四代半導體材料。同時，重點發展勻膠鉻版光掩模版，K
中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大
十年磨劍，實現2英寸單晶金剛石電子器件量產
作為第三代半導體材料的代表，金剛石半導體又被稱為終極半導體。“金剛石半導體具有超寬禁帶（5.45eV），高擊穿場強（10MV/cm）、高載流子飽和漂移速度、高熱導率（22 W/cmK）等材料特性，以及優異的器件品質因子。” 西安交通大學王宏興教授介紹，“為此，采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、
超大尺寸單晶鈣鈦礦晶體制備成功－尺寸超過2英寸
近日，由中科院大連化物所劉生忠研究員帶領的團隊與陜西師大合作，利用升溫析晶法，首次制備出超大尺寸單晶鈣鈦礦CH3NH3PbI3晶體，尺寸超過2英寸（71毫米）。這是世界上首次報道尺寸超過0.5英寸的鈣鈦礦單晶。相關成果在線發表于《先進材料》期刊上。 近年來的研究發現，具有鈣鈦礦晶體結構的甲氨基
浙大成功生長出50mm厚6英寸碳化硅單晶
據浙江大學杭州國際科創中心發布，近日浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發項目的資助下，成功生長出厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導體碳化硅產業發展或將迎來發
上海微系統所在石墨烯單晶晶圓制備方面取得進展
中國科學院上海微系統與信息技術研究所石墨烯單晶晶圓研究取得新進展。信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領導的石墨烯研究團隊首次在較低溫度（750℃）條件下采用化學氣相沉積外延成功制備6英寸無褶皺高質量石墨烯單晶晶圓。研究論文于4月4日在Small上在線發表(X.F. Zhang, et al,
國產碳化硅進擊8英寸工藝節點－“掘金”窗口期步入倒計時
在新能源汽車、光伏、儲能等市場持續推動下，國產碳化硅產業商業化持續推進，獲得國際功率半導體巨頭青睞和結盟，積極追趕更為先進的8英寸工藝節點，碳化硅產品價格有望步入“甜蜜點”。另一方面，碳化硅產業呈現跑馬圈地的擴張態勢，競爭日趨激烈，甚至有頭部廠商已經喊話碳化硅創業窗口期已經接近關閉。獲國際龍頭青睞“
國內第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、
利用深紫外激光PEEM/LEEM對晶圓六方氮化硼結構表征研究
近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎國家重點實驗室研究員傅強團隊與臺積電（TSMC）Lain-Jong Li團隊、臺灣交通大學Wen-Hao Chang團隊、美國萊斯大學B. I. Yakobson團隊、北京大學教授張艷峰團隊合作，在2英寸晶圓襯底上成功外延生長單晶六方氮化硼（hBN）單層
利用對稱性破缺襯底外延二維六方氮化硼單晶
為開辟硅基電子器件之外的新途徑，基于量子材料的新器件研究成為前沿熱點。作為量子材料的重要分支，二維量子材料厚度只有原子級且量子效應顯著，大面積、高質量的二維單晶制備是實現二維器件規模化應用的核心關鍵，然而晶格的非中心反演對稱性給二維單晶生長帶來了極大挑戰。 在量子調控與量子信息重點專項資助下，
氮化鎵襯底晶片實現“中國造”
蘇州納維生產的4 英寸GaN 單晶襯底 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵（GaN）襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司（以下簡稱蘇州納維）的主打產品。 “不會游泳的
上海微系統所制備出晶圓級金剛石基氧化鎵陣列化單晶薄膜
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣團隊，聯合南京電子器件研究所研究員李忠輝團隊，在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展。12月9日，研究成果在第70屆國際電子器件大會（IEDM 2024）上以口頭報告的形式發表。在寬/超寬禁帶半導體材料中，氧化鎵的熱導率最低，不到硅材料的1
研究實現AB堆垛雙層石墨烯快速生長
中科院上海微系統所石墨烯研究團隊采用銅蒸氣輔助，在Cu-Ni合金襯底上實現了AB堆垛雙層石墨烯（ABBG）的快速生長，典型單晶疇尺寸約300微米，生長時間約10分鐘，速度比現有報道提高約一個數量級。相關成果近日在線發表于《微尺度》雜志。 ABBG可通過電場產生可調帶隙，對石墨烯在邏輯器件及光電
我國第三代半導體材料制造設備取得新突破
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。 通常，國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高
科學家突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術
近日，我國科學家在科技部重點研發計劃、國家自然科學基金委等項目的支持下，突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術。相關成果發表于《先進材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料實驗室、中國科學院物理研究所、北京大學、華南師范大學組成的聯合研究團隊在松山湖材料實驗室研究員張廣宇的指導下，基
砷化銦可替代硅制造未來電子設備
據美國物理學家組織網11月23日（北京時間）報道，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室和加州大學伯克利分校的科學家成功地將厚度僅為10納米的超薄半導體砷化銦層集成在一個硅襯底上，制造出一塊納米晶體管，其電學性能優異，在電流密度和跨導方面也表現突出，可與同樣尺寸的硅晶體管相媲美。該研究結
?砷化鎵生產方式介紹
GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術制造，這種
上海微系統所實現AB堆垛雙層石墨烯的快速生長
在02國家重大專項的支持下，中國科學院上海微系統與信息技術研究所在石墨烯研究中取得新進展：采用銅蒸氣輔助，在Cu-Ni合金襯底上實現AB堆垛雙層石墨烯（ABBG）的快速生長，典型單晶疇尺寸約300微米，生長時間約10分鐘，速度比現有報道提高約一個數量級。研究論文于2月24日在small 上在線發
傅里葉紅外光譜儀在第三代Sic半導體應用
據消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率
什么是p型襯底
理論上，P襯底或N襯底都可以。實際上，自由電子的遷移率是空穴的三倍，因此用自由電子為多數載流子的N型半導體做導電溝道的話，通過電流能力要強得多。另外，從控制角度而言，NMOS可以用正電壓開啟，使用起來比較方便，而PMOS需要用到負電壓，就不那么方便了。因此常見的功率型MOS管都是N型，PMOS有，比
砷化鎵太陽能電池性能詳解
砷化鎵太陽能電池 GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。 砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需
LED藍光芯片用什么襯底
藍寶石用的多，國內也有直接用GAN的，但是成本高；美國CREE用碳化硅作襯底，他硬度大，但是成本也比較高；也有在研究用SI的，但是效果不好，吸光等問題比較多
LED襯底材料有哪些種類
目前市面上一般有三種材料可作為襯底：·藍寶石（Al2O3）·硅(Si)·碳化硅（SiC）除了以上三種常用的襯底材料之外，還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底，通常根據設計的需要選擇使用。